Пн.-Пт. 1000-1800
Корзина
  • Ваша корзина пуста!

Оперативная память – Страница 210

  • Сортировка: По умолчанию
  • Сортировка: Название (А - Я)
  • Сортировка: Название (Я - А)
  • Сортировка: Цена (низкая > высокая)
  • Сортировка: Цена (высокая > низкая)
  • Сортировка: Код Товара (А - Я)
  • Сортировка: Код Товара (Я - А)
M386A8K40CM2-CTD7Y Оперативная память Samsung 64 Гб LRDIMM DDR4 2666 МГц

Характеристики

Part Number
M386A8K40CM2-CTD7Y
Вес
0.04 кг
Высота
4.7 см
Длина
14.9 см
Количество модулей в комплекте
1 шт
Объем
64 Гб

..

M386A8K40CM2-CVF Оперативная память Samsung 64 Гб DDR4 2933 МГц

Характеристики

Banks
16 Banks & POD-1.2V
ECC
ECC
Organization
x4
Package
FBGA (Halogen-free & Lead-free, DDP)
Part Number
M386A8K40CM2-CVF
Qty
1

..

M386A8K40CM2-CVFBY Оперативная память Samsung 64GB 2933MHz CL21

Характеристики

Part Number
M386A8K40CM2-CVFBY
Вес
0.04 кг
Высота
4.7 см
Длина
14.9 см
Количество модулей в комплекте
1 шт
Объем
64 Гб

..

M386A8K40DM2-CTD Оперативная память Samsung 64 Гб DDR4 2666 МГц

Характеристики

Banks
16 Banks & POD-1.2V
ECC
ECC
Organization
x4
Package
FBGA (Halogen-free & Lead-free, DDP)
Part Number
M386A8K40DM2-CTD
Qty
1

..

M386A8K40DM2-CVF Оперативная память Samsung 64-GB DDR4 2933MHz

Характеристики

Banks
16 Banks & POD-1.2V
ECC
ECC
Organization
x4
Package
FBGA (Halogen-free & Lead-free, DDP)
Part Number
M386A8K40DM2-CVF
Qty
1

..

M386A8K40DM2-CWE Оперативная память Samsung 64 Гб DDR4 3200 МГц

Характеристики

Banks
16 Banks & POD-1.2V
ECC
ECC
Organization
x4
Package
FBGA (Halogen-free & Lead-free, DDP)
Part Number
M386A8K40DM2-CWE
Qty
1

..

M386AAG40AM3-CWE Оперативная память Samsung 128 Гб DDR4 3200 МГц

Характеристики

Banks
16 Banks & POD-1.2V
ECC
ECC
Organization
x4
Package
FBGA (Halogen-free & Lead-free, DDP)
Part Number
M386AAG40AM3-CWE
Qty
1

..

M386AAG40MM2-CVF Оперативная память Samsung 128 Гб DDR4 2933 МГц

Характеристики

Banks
16 Banks & POD-1.2V
ECC
ECC
Organization
x4
Package
FBGA (Halogen-free & Lead-free, DDP)
Part Number
M386AAG40MM2-CVF
Qty
1

..

M386AAG40MMB-CVF Оперативная память Samsung 128 Гб DDR4 2933 МГц

Характеристики

Banks
16 Banks & POD-1.2V
ECC
ECC
Organization
x4
Package
FBGA (Halogen-free & Lead-free, DDP)
Part Number
M386AAG40MMB-CVF
Qty
1

..

M386AAK40B40-CUC Оперативная память Samsung 128 Гб DDR4 2400 МГц

Характеристики

Banks
16 Banks & POD-1.2V
ECC
ECC
Organization
x4
Package
FBGA (Halogen-free & Lead-free, 4H TSV)
Part Number
M386AAK40B40-CUC
Qty
1

..

M386AAK40B40-CWD Оперативная память Samsung 128 Гб DDR4 2666 МГц

Характеристики

Banks
16 Banks & POD-1.2V
ECC
ECC
Organization
x4
Package
FBGA (Halogen-free & Lead-free, 4H TSV)
Part Number
M386AAK40B40-CWD
Qty
1

..

M386B2G70DM0-YH9 Оперативная память Samsung 16 Гб DDR3 1333 МГц

Характеристики

Banks
8 Banks, SSTL (1.5V)
ECC
ECC
Organization
x4
Package
FBGA (Lead-Free & Halogen-Free, DDP)
Part Number
M386B2G70DM0-YH9
Qty
1

..

M386B4G70BM0-CK0 Оперативная память Samsung 32 Гб DDR3 1600 МГц

Характеристики

Banks
8 Banks, SSTL (1.5V)
ECC
ECC
Organization
x4
Package
FBGA (Lead-Free & Halogen-Free, DDP)
Part Number
M386B4G70BM0-CK0
Qty
1

..

M386B4G70BM0-CMA Оперативная память Samsung 32 Гб DDR3 1866 МГц

Характеристики

Banks
8 Banks, SSTL (1.5V)
ECC
ECC
Organization
x4
Package
FBGA (Lead-Free & Halogen-Free, DDP)
Part Number
M386B4G70BM0-CMA
Qty
1

..

M386B4G70BM0-YK0 Оперативная память Samsung 32 Гб DDR3 1600 МГц

Характеристики

Banks
8 Banks, SSTL (1.5V)
ECC
ECC
Organization
x4
Package
FBGA (Lead-Free & Halogen-Free, DDP)
Part Number
M386B4G70BM0-YK0
Qty
1

..