Пн.-Пт. 1000-1800
Корзина
  • Ваша корзина пуста!

Оперативная память – Страница 211

  • Сортировка: По умолчанию
  • Сортировка: Название (А - Я)
  • Сортировка: Название (Я - А)
  • Сортировка: Цена (низкая > высокая)
  • Сортировка: Цена (высокая > низкая)
  • Сортировка: Код Товара (А - Я)
  • Сортировка: Код Товара (Я - А)
M386B4G70BM0-YK00 Оперативная память Samsung 32 Гб 1600 МГц

Характеристики

CAS LATENCY TIMINGS
CL11
Part Number
M386B4G70BM0-YK00
PLATFORM SUPPORT
SERVER
RANK FEATURES
4RX4
Вес
0.04 кг
Высота
4.7 см

..

M386B4G70DM0-CMA Оперативная память Samsung 32 Гб DDR3 1866 МГц

Характеристики

Banks
8 Banks, SSTL (1.5V)
ECC
ECC
Organization
x4
Package
FBGA (Lead-Free & Halogen-Free, DDP)
Part Number
M386B4G70DM0-CMA
Qty
1

..

M386B4G70DM0-YK04 Оперативная память Samsung 32GB DDR3 PC3L-12800L

Характеристики

Part Number
M386B4G70DM0-YK04
Базовая единица
шт
Производитель
Samsung
Тип
Память
Тип оперативной памяти
DDR3

..

M386B8G70BO0-YK0 Оперативная память Samsung 64 Гб DDR3 1600 МГц

Характеристики

Banks
8 Banks, SSTL (1.5V)
ECC
ECC
Organization
x4
Package
FBGA (Lead-Free & Halogen-Free, QDP for 64GBLRDIMM)
Part Number
M386B8G70BO0-YK0
Qty
1

..

M386B8G70DE0-CK0 Оперативная память Samsung 64 Гб DDR3 1600 МГц

Характеристики

Banks
8 Banks, SSTL (1.5V)
ECC
ECC
Organization
x4
Package
FBGA (Lead-Free & Halogen-Free, QDP)
Part Number
M386B8G70DE0-CK0
Qty
1

..

M386B8G70DE0-YH9 Оперативная память Samsung 64 Гб DDR3 1333 МГц

Характеристики

Banks
8 Banks, SSTL (1.5V)
ECC
ECC
Organization
x4
Package
FBGA (Lead-Free & Halogen-Free, QDP)
Part Number
M386B8G70DE0-YH9
Qty
1

..

M386B8G70DE0-YH93 Оперативная память Samsung 64 Гб DDR3 1333 МГц

Характеристики

Banks
8 Banks, SSTL (1.5V)
ECC
ECC
Organization
x4
Package
FBGA (Lead-Free & Halogen-Free, QDP)
Part Number
M386B8G70DE0-YH93
Qty
1

..

M386B8G70DE0-YK0 Оперативная память Samsung 64 Гб DDR3 1600 МГц

Характеристики

Banks
8 Banks, SSTL (1.5V)
ECC
ECC
Organization
x4
Package
FBGA (Lead-Free & Halogen-Free, QDP)
Part Number
M386B8G70DE0-YK0
Qty
1

..

M391A1G43EB1-CPB Оперативная память Samsung 8 Гб DDR4 2133 МГц

Характеристики

Banks
16 Banks & POD-1.2V
ECC
ECC
Organization
x8
Package
FBGA (Halogen-free & Lead-free, Flip Chip)
Part Number
M391A1G43EB1-CPB
Qty
1

..

M391A1G43EB1-CRC Оперативная память Samsung 8 Гб DDR4 2400 МГц

Характеристики

Banks
16 Banks & POD-1.2V
ECC
ECC
Organization
x8
Package
FBGA (Halogen-free & Lead-free, Flip Chip)
Part Number
M391A1G43EB1-CRC
Qty
1

..

M391A1K43BB1-CPB Оперативная память Samsung 8 Гб DDR4 2133 МГц

Характеристики

Banks
16 Banks & POD-1.2V
ECC
ECC
Organization
x8
Package
FBGA (Halogen-free & Lead-free, Flip Chip)
Part Number
M391A1K43BB1-CPB
Qty
1

..

M391A1K43BB1-CRC Оперативная память Samsung 8 Гб DDR4 2400 МГц

Характеристики

Banks
16 Banks & POD-1.2V
ECC
ECC
Organization
x8
Package
FBGA (Halogen-free & Lead-free, Flip Chip)
Part Number
M391A1K43BB1-CRC
Qty
1

..

M391A1K43BB2-CTD Оперативная память Samsung 8 Гб DDR4 2666 МГц

Характеристики

Banks
16 Banks & POD-1.2V
ECC
ECC
Organization
x8
Package
FBGA (Halogen-free & Lead-free, Flip Chip)
Part Number
M391A1K43BB2-CTD
Qty
1

..

M391A1K43BB2-CTDQ0 Оперативная память Samsung 8 Гб RDIMM DDR4 2666 МГц

Характеристики

Part Number
M391A1K43BB2-CTDQ0
Вес
0.04 кг
Высота
4.7 см
Длина
14.9 см
Количество модулей в комплекте
1 шт
Объем
8 Гб

..

M391A1K43DB2-CTD Оперативная память Samsung 8 Гб DDR4 2666 МГц

Характеристики

Banks
16 Banks & POD-1.2V
ECC
ECC
Organization
x8
Package
FBGA (Halogen-free & Lead-free, Flip Chip)
Part Number
M391A1K43DB2-CTD
Qty
1

..