Оперативная память – Страница 230
На складе в Москве
Характеристики
- Banks
- 16 Banks & POD-1.2V
- ECC
- Non-ECC
- Organization
- x16
- Package
- FBGA (Halogen-free & Lead-free, Flip Chip)
- Part Number
- M471A5244CB0-CWE
- Qty
- 1
M471A5244CB0-CWE Оперативная память Samsung 4 Гб SODIMM DDR4 3200 МГц оригинальный, новый.Товар пост..
На складе в Москве
Характеристики
- Banks
- 8 Banks, SSTL (1.5V)
- ECC
- Non-ECC
- Organization
- x8
- Package
- FBGA (Lead-Free & Halogen-Free, Flip Chip)
- Part Number
- M471B1G73CB0-CK0
- Qty
- 1
M471B1G73CB0-CK0 Оперативная память Samsung 8 Гб SODIMM DDR3 1600 МГц оригинальный, новый.Товар пост..
На складе в Москве
Характеристики
- Banks
- 8 Banks, SSTL (1.5V)
- ECC
- Non-ECC
- Organization
- x8
- Package
- FBGA (Lead-Free & Halogen-Free, Flip Chip)
- Part Number
- M471B1G73DB0-CK0
- Qty
- 1
M471B1G73DB0-CK0 Оперативная память Samsung 8 Гб SODIMM DDR3 1600 МГц оригинальный, новый.Товар пост..
На складе в Москве
Характеристики
- Banks
- 8 Banks, SSTL (1.5V)
- ECC
- Non-ECC
- Organization
- x8
- Package
- FBGA (Lead-Free & Halogen-Free, Flip Chip)
- Part Number
- M471B1G73DB0-YK0
- Qty
- 1
M471B1G73DB0-YK0 Оперативная память Samsung 8 Гб SODIMM DDR3 1600 МГц оригинальный, новый.Товар пост..
На складе в Москве
Характеристики
- Banks
- 8 Banks, SSTL (1.5V)
- ECC
- Non-ECC
- Organization
- x8
- Package
- FBGA (Lead-Free & Halogen-Free, Flip Chip)
- Part Number
- M471B1G73EB0-CK0
- Qty
- 1
M471B1G73EB0-CK0 Оперативная память Samsung 8 Гб SODIMM DDR3 1600 МГц оригинальный, новый.Каждый тов..
На складе в Москве
Характеристики
- Banks
- 8 Banks, SSTL (1.5V)
- ECC
- Non-ECC
- Organization
- x8
- Package
- FBGA (Lead-Free & Halogen-Free, Flip Chip)
- Part Number
- M471B1G73EB0-YK0
- Qty
- 1
M471B1G73EB0-YK0 Оперативная память Samsung 8 Гб SODIMM DDR3 1600 МГц оригинальный, новый.Товар пост..
На складе в Москве
Характеристики
- Banks
- 8 Banks, SSTL (1.5V)
- ECC
- Non-ECC
- Organization
- x8
- Package
- FBGA (Lead-Free & Halogen-Free, Flip Chip)
- Part Number
- M471B1G73EB0-YMA
- Qty
- 1
M471B1G73EB0-YMA Оперативная память Samsung 8 Гб SODIMM DDR3 1866 МГц оригинальный, новый.Каждый тов..
На складе в Москве
Характеристики
- Banks
- 8 Banks, SSTL (1.5V)
- ECC
- Non-ECC
- Organization
- x8
- Package
- FBGA (Lead-Free & Halogen-Free)
- Part Number
- M471B1G73QH0-CK0
- Qty
- 1
M471B1G73QH0-CK0 Оперативная память Samsung 8 Гб SODIMM DDR3 1600 МГц оригинальный, новый.Каждый тов..
На складе в Москве
Характеристики
- Banks
- 8 Banks, SSTL (1.5V)
- ECC
- Non-ECC
- Organization
- x8
- Package
- FBGA (Lead-Free & Halogen-Free)
- Part Number
- M471B1G73QH0-YK0
- Qty
- 1
M471B1G73QH0-YK0 Оперативная память Samsung 8 Гб SODIMM DDR3 1600 МГц оригинальный, новый.Каждый тов..
На складе в Москве
Характеристики
- Banks
- 8 Banks, SSTL (1.5V)
- ECC
- Non-ECC
- Organization
- x8
- Package
- FBGA (Lead-Free & Halogen-Free)
- Part Number
- M471B5173BH0-CK0
- Qty
- 1
M471B5173BH0-CK0 Оперативная память Samsung 4 Гб SODIMM DDR3 1600 МГц оригинальный, новый.Товар пост..
На складе в Москве
Характеристики
- Banks
- 8 Banks, SSTL (1.5V)
- ECC
- Non-ECC
- Organization
- x8
- Package
- FBGA (Lead-Free & Halogen-Free, Flip Chip)
- Part Number
- M471B5173CB0-CK0
- Qty
- 1
M471B5173CB0-CK0 Оперативная память Samsung 4 Гб SODIMM DDR3 1600 МГц оригинальный, новый.Товар пост..
На складе в Москве
Характеристики
- Banks
- 8 Banks, SSTL (1.5V)
- ECC
- Non-ECC
- Organization
- x8
- Package
- FBGA (Lead-Free & Halogen-Free, Flip Chip)
- Part Number
- M471B5173DB0-CK0
- Qty
- 1
M471B5173DB0-CK0 Оперативная память Samsung 4 Гб SODIMM DDR3 1600 МГц оригинальный, новый.Товар пост..
На складе в Москве
Характеристики
- Banks
- 8 Banks, SSTL (1.5V)
- ECC
- Non-ECC
- Organization
- x8
- Package
- FBGA (Lead-Free & Halogen-Free, Flip Chip)
- Part Number
- M471B5173EB0-CK0
- Qty
- 1
M471B5173EB0-CK0 Оперативная память Samsung 4 Гб SODIMM DDR3 1600 МГц оригинальный, новый.Каждый тов..
На складе в Москве
Характеристики
- Banks
- 8 Banks, SSTL (1.5V)
- ECC
- Non-ECC
- Organization
- x8
- Package
- FBGA (Lead-Free & Halogen-Free, Flip Chip)
- Part Number
- M471B5173EB0-YK0
- Qty
- 1
M471B5173EB0-YK0 Оперативная память Samsung 4 Гб SODIMM DDR3 1600 МГц оригинальный, новый.Товар пост..
На складе в Москве
Характеристики
- Banks
- 8 Banks, SSTL (1.5V)
- ECC
- Non-ECC
- Organization
- x8
- Package
- FBGA (Lead-Free & Halogen-Free, Flip Chip)
- Part Number
- M471B5173EB0-YMA
- Qty
- 1
M471B5173EB0-YMA Оперативная память Samsung 4 Гб SODIMM DDR3 1866 МГц оригинальный, новый.Товар пост..