Оперативная память – Страница 231
На складе в Москве
Характеристики
- Banks
- 8 Banks, SSTL (1.5V)
- ECC
- Non-ECC
- Organization
- x8
- Package
- FBGA (Lead-Free & Halogen-Free)
- Part Number
- M471B5173QH0-CK0
- Qty
- 1
M471B5173QH0-CK0 Оперативная память Samsung 4 Гб SODIMM DDR3 1600 МГц оригинальный, новый.Товар пост..
На складе в Москве
Характеристики
- Banks
- 8 Banks, SSTL (1.5V)
- ECC
- Non-ECC
- Organization
- x8
- Package
- FBGA (Lead-Free & Halogen-Free)
- Part Number
- M471B5273CH0-CH9
- Qty
- 1
M471B5273CH0-CH9 Оперативная память Samsung 4 Гб SODIMM DDR3 1333 МГц оригинальный, новый.Каждый тов..
На складе в Москве
Характеристики
- Banks
- 8 Banks, SSTL (1.5V)
- ECC
- Non-ECC
- Organization
- x8
- Package
- FBGA (Lead-Free & Halogen-Free)
- Part Number
- M471B5273CH0-CK0
- Qty
- 1
M471B5273CH0-CK0 Оперативная память Samsung 4 Гб SODIMM DDR3 1600 МГц оригинальный, новый.Каждый тов..
На складе в Москве
Характеристики
- Banks
- 8 Banks, SSTL (1.5V)
- ECC
- Non-ECC
- Organization
- x8
- Package
- FBGA (Lead-Free & Halogen-Free)
- Part Number
- M471B5273DH0-CH9
- Qty
- 1
M471B5273DH0-CH9 Оперативная память Samsung 4 Гб SODIMM DDR3 1333 МГц оригинальный, новый.Товар пост..
На складе в Москве
Характеристики
- Banks
- 8 Banks, SSTL (1.5V)
- ECC
- Non-ECC
- Organization
- x8
- Package
- FBGA (Lead-Free & Halogen-Free)
- Part Number
- M471B5273DH0-CK0
- Qty
- 1
M471B5273DH0-CK0 Оперативная память Samsung 4 Гб SODIMM DDR3 1600 МГц оригинальный, новый.Товар пост..
На складе в Москве
Характеристики
- Banks
- 8 Banks, SSTL (1.5V)
- ECC
- Non-ECC
- Organization
- x8
- Package
- FBGA (Lead-Free & Halogen-Free, Flip Chip)
- Part Number
- M471B5273EB0-CH9
- Qty
- 1
M471B5273EB0-CH9 Оперативная память Samsung 4 Гб SODIMM DDR3 1333 МГц оригинальный, новый.Товар пост..
На складе в Москве
Характеристики
- Banks
- 8 Banks, SSTL (1.5V)
- ECC
- Non-ECC
- Organization
- x8
- Package
- FBGA (Lead-Free & Halogen-Free, Flip Chip)
- Part Number
- M471B5273EB0-CK0
- Qty
- 1
M471B5273EB0-CK0 Оперативная память Samsung 4 Гб SODIMM DDR3 1600 МГц оригинальный, новый.Товар пост..
На складе в Москве
Характеристики
- Banks
- 16 Banks & POD-1.2V
- ECC
- ECC
- Organization
- x8
- Package
- FBGA (Halogen-free & Lead-free, Flip Chip)
- Part Number
- M474A1G43DB0-CPB
- Qty
- 1
M474A1G43DB0-CPB Оперативная память Samsung 8 Гб SODIMM DDR4 2133 МГц оригинальный, новый.Товар пост..
На складе в Москве
Характеристики
- Banks
- 16 Banks & POD-1.2V
- ECC
- ECC
- Organization
- x8
- Package
- FBGA (Halogen-free & Lead-free, Flip Chip)
- Part Number
- M474A1G43DB1-CRC
- Qty
- 1
M474A1G43DB1-CRC Оперативная память Samsung 8 Гб SODIMM DDR4 2400 МГц оригинальный, новый.Товар пост..
На складе в Москве
Характеристики
- Banks
- 16 Banks & POD-1.2V
- ECC
- ECC
- Organization
- x8
- Package
- FBGA (Halogen-free & Lead-free, Flip Chip)
- Part Number
- M474A1G43EB1-CPB
- Qty
- 1
M474A1G43EB1-CPB Оперативная память Samsung 8 Гб SODIMM DDR4 2133 МГц оригинальный, новый.Каждый тов..
На складе в Москве
Характеристики
- Banks
- 16 Banks & POD-1.2V
- ECC
- ECC
- Organization
- x8
- Package
- FBGA (Halogen-free & Lead-free, Flip Chip)
- Part Number
- M474A1G43EB1-CRC
- Qty
- 1
M474A1G43EB1-CRC Оперативная память Samsung 8 Гб SODIMM DDR4 2400 МГц оригинальный, новый.Товар пост..
На складе в Москве
Характеристики
- Banks
- 16 Banks & POD-1.2V
- ECC
- ECC
- Organization
- x8
- Package
- FBGA (Halogen-free & Lead-free, Flip Chip)
- Part Number
- M474A1K43BB1-CTD
- Qty
- 1
M474A1K43BB1-CTD Оперативная память Samsung 8 Гб SODIMM DDR4 2666 МГц оригинальный, новый.Каждый тов..
На складе в Москве
Характеристики
- Banks
- 16 Banks & POD-1.2V
- ECC
- ECC
- Organization
- x8
- Package
- FBGA (Halogen-free & Lead-free, Flip Chip)
- Part Number
- M474A1K43DB1-CTD
- Qty
- 1
M474A1K43DB1-CTD Оперативная память Samsung 8 Гб SODIMM DDR4 2666 МГц оригинальный, новый.Каждый тов..
На складе в Москве
Характеристики
- Banks
- 16 Banks & POD-1.2V
- ECC
- ECC
- Organization
- x8
- Package
- FBGA (Halogen-free & Lead-free, Flip Chip)
- Part Number
- M474A1K43DB1-CVF
- Qty
- 1
M474A1K43DB1-CVF Оперативная память Samsung 8 Гб SODIMM DDR4 2933 МГц оригинальный, новый.Товар пост..
На складе в Москве
Характеристики
- Banks
- 16 Banks & POD-1.2V
- ECC
- ECC
- Organization
- x8
- Package
- FBGA (Halogen-free & Lead-free, Flip Chip)
- Part Number
- M474A1K43DB1-CWE
- Qty
- 1
M474A1K43DB1-CWE Оперативная память Samsung 8 Гб SODIMM DDR4 3200 МГц оригинальный, новый.Товар пост..